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该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流能力，漏源电压额定值为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备高击穿电压与较低导通损耗的特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性，在开关电源、可再生能源变换器及高密度电力电子模块中可实现稳定可靠的性能表现。