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该N沟道碳化硅MOSFET具备68A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高功率密度的电源转换场景。其低导通损耗和快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子应用中。