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该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。其采用碳化硅材料，具有较低的导通与开关损耗，以及良好的高温工作稳定性。适用于对效率和体积有较高要求的电源系统，如通信设备供电、可再生能源转换装置、高频开关电源及高密度功率模块等场景。