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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和快速开关特性，适用于高效率、高频率的电力电子系统，如通信电源、光伏逆变器、不间断电源及各类高效能开关转换器，在提升系统效率与功率密度方面表现突出。