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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件结合高耐压能力与极低导通损耗，在高频开关条件下仍能维持高效运行，适用于对转换效率和热管理要求严苛的电源系统、可再生能源并网设备以及高密度电能变换装置。