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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流ID为99A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(on)为26mΩ，栅源电压VGS工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压、大电流条件下展现出较低的导通与开关损耗，适用于高频电源转换、可再生能源系统及高效率电力电子设备。其宽VGS范围提升了驱动电路的设计灵活性，同时低RDS(on)有助于优化热管理与系统整体能效。