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该N沟道碳化硅MOSFET具有189A的连续漏极电流（ID）和750V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至11mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高功率密度的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于对性能和可靠性要求较高的电源管理与能量转换系统中。
