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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备高击穿电场强度和低导通损耗特性，适用于高频开关电源、高效能转换器等对效率与热管理有较高要求的电力电子应用，在紧凑布局中仍能维持稳定可靠的开关性能。