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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达36A，导通电阻（RDS(on)）为75mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的开关性能，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及高频电力电子设备。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性与运行稳定性。