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该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关特性，适用于高效率、高频率的电力转换场景。其低导通损耗和快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电源模块及高频逆变结构中。