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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为18A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压特性，适用于高频开关电源、光伏逆变系统及高密度电力转换装置。其宽栅压容限有助于提升驱动兼容性，同时在高温环境下保持稳定电气性能。