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该N沟道碳化硅MOSFET支持30A的连续漏极电流，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，可在栅源电压-10V至@5V范围内可靠运行。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统。其电气参数适合用于高可靠性、紧凑型的电力转换模块，在多种严苛工作环境中保持稳定性能。