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该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为32A，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关条件下具有较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热导性能和稳定性。适用于高效率电源、服务器供电系统、光伏逆变器及储能设备中的功率转换环节，可在紧凑空间内实现可靠的电气性能。