-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为55A，漏源电压额定值为650V，导通电阻为58mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源接入设备及高功率密度的电力电子系统。其低RDS(on)有助于降低导通阶段的功率耗散，而宽VGS范围则增强了与多种驱动电路的兼容性，提升系统运行的可靠性与稳定性。