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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(on)）为320mΩ，栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备较低的导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备，在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定性能。
