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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS），在25℃环境下可承载9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为320mΩ。其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V，确保在多种驱动条件下稳定运行。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。
