-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达36A，导通电阻（RDS(ON)）为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高温环境下仍能保持稳定工作性能，适合用于对体积和效率有较高要求的电力电子应用场合。