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本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至165mΩ，有助于减少导通损耗。栅源电压范围为-10V至@5V，支持稳定可靠的栅极驱动。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关性能和高温工作能力，适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变单元及储能系统的功率模块设计，满足对能效与功率密度有较高要求的应用场景。
