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该N沟道碳化硅MOSFET具备355A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为750V，导通电阻低至5mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与优异热导率，在高功率密度和高频开关应用中表现出极低的导通损耗与良好的热稳定性。适用于对效率、体积和动态响应有严苛要求的电源系统及能量转换装置，其宽栅压范围也增强了与多种驱动电路的兼容性。