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该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下展现出低导通损耗与快速开关响应，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换及高密度电力电子系统。