-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.7毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构优化了开关特性，在保持高电流承载能力的同时，确保稳定可靠的运行表现。