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该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-10V至@5V范围，具备良好的驱动兼容性与可靠性。基于碳化硅半导体材料，器件具备优异的高温稳定性、高开关频率特性和低反向恢复电荷，适用于高效率、高功率密度的电力转换系统。典型应用涵盖高压DC-DC变换器、不间断电源、光伏逆变装置及高功率开关电源等场景。
