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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为25A，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压范围提升了驱动电路的适应性，同时支持在较高结温下稳定运行，适合对体积与能效有较高要求的电力电子应用。