-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9A的连续漏极电流（ID）以及306mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合。其电气参数支持在紧凑型设计中实现稳定可靠的运行。