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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为20A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，在高电压和高频工作条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对能效和热管理有较高要求的电源转换系统。其结构支持在严苛电气环境中保持稳定运行，适合用于高效率AC/DC或DC/DC功率变换拓扑。