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该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为20A，最大漏源电压VDSS达800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高频开关条件下仍能保持良好的热稳定性与电气性能。