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该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为15A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积和散热有较高要求的电能处理场景。