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该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有助于在大电流工作状态下显著降低导通损耗，提升系统效率。器件适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源转换场合，能够在高频开关条件下保持稳定性能，满足紧凑型电子设备中对高效功率控制的需求。
