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该N沟道MOSFET支持100A的连续漏极电流（ID），漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至2.5mΩ。凭借极低的导通阻抗，器件在高电流应用中可有效抑制功率损耗与温升，适用于高效电源转换、大电流开关电路及电机驱动等场景。其电气特性有利于提升系统整体效率，并在紧凑型设计中实现良好的热管理表现。
