-------<点击了解更多 + 购买>-------

该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源驱动电压范围VGS为-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热性能要求较高的电力转换场景。其宽驱动电压范围有助于提升系统兼容性，同时在高频开关条件下仍能保持稳定工作状态，适合用于各类高效电源管理与能量转换系统中。