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该N沟道MOSFET的连续漏极电流为55A，最大漏源电压为30V，导通电阻为4.7毫欧，栅源电压最高支持20V。器件在中等电流应用中展现出良好的导通特性与较低的功率损耗，适用于对效率和热管理有一定要求的电源开关、同步整流及负载控制电路。其参数组合使其在紧凑型高效率电子系统中具备稳定的工作表现。