-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、大电流开关以及电池管理系统等应用场景，能够支持频繁开关操作并保持稳定可靠的电气特性。
