-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、8.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其参数组合使其在中等功率应用中具有良好的导通特性和电压耐受能力。较低的RDS(ON)有助于控制导通损耗，适用于开关电源、电机驱动及高效能电源转换等场景，在保障可靠运行的同时支持较高的开关频率。
