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该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。其电气特性支持高效能功率开关操作，在高频率应用中可有效降低导通损耗与温升。适用于对体积、效率及热管理有较高要求的电源系统，如服务器电源、通信设备及高性能计算平台中的功率转换模块。
