-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、服务器电源、可再生能源转换系统及各类对能效和热管理有较高要求的电力电子应用。