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该N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于大电流开关电源、电机驱动、电池充放电控制及高效功率转换等场合，能够在高频开关操作中保持良好的电气性能和热稳定性。
