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该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流和100V的漏源电压额定值，导通电阻仅为3.6毫欧。低RDS(ON)有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体效率。器件适用于高电流、高频率的电源转换场合，能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性，适合用于对能效和空间有较高要求的电子系统中的功率开关功能。