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该N沟道碳化硅MOSFET具备15A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源、光伏逆变系统及小型化电力转换装置。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配灵活性。