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该N沟道场效应管（MOSFET）支持100A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至2.5毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通损耗，有利于提升整体能效并简化热设计。器件适用于高电流、高效率要求的电源转换场景，如服务器供电模块、高性能计算设备及便携式大功率储能系统等，在高频开关条件下仍可维持稳定工作特性。