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该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算设备中的功率管理模块。其参数组合支持在紧凑空间内实现可靠的电力控制。