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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类紧凑型电力电子装置。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时有助于提升系统可靠性与动态响应能力。