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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、5.1A的连续漏极电流（ID）以及820mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。其栅源电压（VGS）范围为-8V至@0V，适用于多种驱动条件。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关操作中表现出较低的损耗和良好的热稳定性，适合用于高效率电源转换、可再生能源系统中的功率调节以及对体积和散热有较高要求的电力电子设备。
