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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，最大漏源电压达650V，导通电阻典型值为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其电气特性适合用于高频开关应用，有助于提升系统整体能效与响应速度。