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该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为30V，导通电阻为4.7毫欧，最大栅源电压为20V。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统整体效率，适用于高电流密度的电源转换、电机驱动、电池充放电控制及高频开关电路等场合。器件在保持良好热稳定性和开关特性的同时，适合对空间和能效有较高要求的电子系统。