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该N沟道碳化硅MOSFET具备900V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ，栅源电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高电压应用中展现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高频开关电源、光伏逆变器及高效率电能转换系统等场景，可在较高工作温度下维持可靠性能。