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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID），在25℃下典型导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，该器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。