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该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。在中等电流应用中，该器件能够提供较低的导通损耗，有助于维持较高的能效水平并简化热管理设计。适用于对体积与效率有一定要求的电源开关电路，可在多种电子设备的功率控制和配电模块中实现稳定可靠的性能表现。
