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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源电压耐压达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类对体积与能效有较高要求的电力电子装置中，能够有效支持紧凑型电路设计与高功率密度实现。