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该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为3.5毫欧。在高电流工作条件下，其较低的导通电阻有助于有效抑制功率损耗和温升，提升整体能效。适用于对效率和热性能有较高要求的电源模块、电机驱动电路、电池供电设备以及各类高密度电力电子系统。
