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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。栅源电压范围为-8V至@0V，适用于对开关效率和热性能有较高要求的电力电子场景。其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗并提升系统整体能效，适合用于高频、高效率的电源转换架构中。